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        當(dāng)前位置:首頁  >  產(chǎn)品中心  >  膜厚儀  >  Thetametrisis膜厚儀  >  FR-Scanner AIO-Mic-RΘ150-自動化高速薄膜厚度測量儀

        -自動化高速薄膜厚度測量儀

        簡要描述:顯示器薄膜測量儀*的光學(xué)模塊可容納所有光學(xué)部件:分光計、復(fù)合光源(壽命10000小時)、高精度反射探頭。因此,在準(zhǔn)確性、重現(xiàn)性和長期穩(wěn)定性方面保證了優(yōu)異的性能。

        • 產(chǎn)品型號:FR-Scanner AIO-Mic-RΘ150
        • 廠商性質(zhì):代理商
        • 產(chǎn)品資料:
        • 更新時間:2024-11-09
        • 訪  問  量: 544

        詳細(xì)介紹

        1、FR-Scanner-AIO-Mic-RΘ150介紹

        模塊化厚度測繪系統(tǒng)平臺,集成了光學(xué)、電子和機械模塊,用于表征圖案化薄膜光學(xué)參數(shù)。典型案例包括(但不限于)微圖案表面、粗糙表面等。晶圓放置在真空吸盤上,該真空吸盤支持尺寸/直徑達 300 毫米的各種晶圓,執(zhí)行測量光斑尺寸小至幾微米的強大光學(xué)模塊。具超高精度和可重復(fù)性的電動RΘ 載物臺,在速度、精度和可重復(fù)性方面具有出色的性能。


        FR-Scanner-AIO-Mic-RΘ150提供:o 實時光譜反射率測量 o 薄膜厚度、光學(xué)特性、不均勻性測量、厚度測繪o 使用集成的、USB 連接的高質(zhì)量彩色相機進行成像o 測量參數(shù)的統(tǒng)計數(shù)據(jù) * 還提供用于測量更大直徑晶圓上涂層的工具(最大 450 毫米)


        2、特征


        o 單擊分析無需初始猜測

        o 動態(tài)測量

        光學(xué)參數(shù)(n & k、色座標(biāo))

        o Click2Move 和圖案測量位置對齊功能

        o 多個離線分析安裝

        o 免費軟件更新


        3、規(guī)格

        Model

        UV/VIS

        UV/NIR -EX

        UV/NIR-HR

        D UV/NIR

        VIS/NIR

        D VIS/NIR

        NIR

        NIR-N2

        Spectral Range (nm)

        200 – 850

        200 –1020

        200-1100

        200 – 1700

        370 –1020

        370 – 1700

        900 – 1700

        900 - 1050

        Spectrometer Pixels

        3648

        3648

        3648

        3648 & 512

        3648

        3648 & 512

        512

        3648

        Thickness range (SiO2) *1

        5X- VIS/NIR

        4nm – 60μm

        4nm – 70μm

        4nm – 100μm

        4nm – 150μm

        15nm – 90μm

        15nm–150μm

        100nm-150μm

        4um – 1mm

        10X-VIS/NIR

        10X-UV/NIR*

        4nm – 50μm

        4nm – 60μm

        4nm – 80μm

        4nm – 130μm

        15nm – 80μm

        15nm–130μm

        100nm–130μm

        15X- UV/NIR *

        4nm – 40μm

        4nm – 50μm

        4nm – 50μm

        4nm – 120μm

        100nm-100μm

        20X- VIS/NIR

        20X- UV/NIR *

        4nm – 25μm

        4nm – 30μm

        4nm – 30μm

        4nm – 50μm

        15nm – 30μm

        15nm – 50μm

        100nm – 50μm

        40X- UV/NIR *

        4nm – 4μm

        4nm – 4μm

        4nm – 5μm

        4nm – 6μm

        50X- VIS/NIR

        15nm – 5μm

        15nm – 5μm

        100nm – 5μm

        Min. Thickness for n & k

        50nm

        50nm

        50nm

        50nm

        100nm

        100nm

        500nm

        Thickness Accuracy **2

        0.1% or 1nm

        0.2% or 2nm

        3nm or 0.3%


        Thickness Precision **3/4

        0.02nm

        0.02nm

        <1nm

        5nm

        Thickness stability **5

        0.05nm

        0.05nm

        <1nm

        5nm

        Light Source

        Deuterium & Halogen

        Halogen (internal), 3000h   (MTBF)

        R/Angle resolution

        5μm/0.1o

        Material Database

        > 700 different   materials

        Wafer size

        2in-3in-4in-6in-8in-300mm

        Scanning   Speed

        100meas/min   (8’’ wafer size)

        Tool   footprint / Weight

        650x500mm   / 45Kg

        Power

        110V/230V, 50-60Hz, 350W





        測量區(qū)域光斑(收集反射信號的區(qū)域)與物鏡和孔徑大小有關(guān)

        物鏡

        Spot Size (光斑)

        放大倍率

        500微米孔徑

        250微米孔徑

        100微米孔徑

        5x

        100 μm

        50 μm

        20 μm

        10x

        50 μm

        25 μm

        10 μm

        20x

        25 μm

        15 μm

        5 μm

        50x

        10 μm

        5 μm

        2 μm





        4、工作原理

        Principle of Operation 測量原理White Light Reflectance Spectroscopy (WLRS) 白光反射光譜是測量從單層薄膜或多層薄膜堆疊結(jié)構(gòu)的一個波長范圍內(nèi)的反射量,入射光垂直于樣品表面,由于界面干涉產(chǎn)生的反射光譜被用來計算確定(透明或部分透明或wan'quan反射基板上)薄膜的厚度、光學(xué)常數(shù)(N&K)等。



        圖片4.png


        *1規(guī)格如有變更,恕不另行通知,*2與校正過的光譜橢偏儀和x射線衍射儀的測量結(jié)果匹配,*3超過15天平均值的標(biāo)準(zhǔn)偏差平均值,樣品:硅晶片上1微米SiO2,*4標(biāo)準(zhǔn)偏差100次厚度測量結(jié)果,樣品:硅晶片上1微米SiO2, *5 15天內(nèi)每日平均值的2*標(biāo)準(zhǔn)差。樣品:硅片上1微米SiO2。


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